Статьи

IGBT приборы были разработаны методом объединения свойств МОП и биполярных транзисторов. Благодаря этому удалось преодолеть некоторые ограничения, связанные как с обеспечением возможности переключения высокого напряжения, так и с регулированием высоких токов с использованием относительно простой схемы возбуждения затвора.

Температура перехода (Tj) силового полупроводникового прибора в любой конкретной ситуации сильно влияет на его рабочие характеристики и надежность. В течение срока службы тиристор может испытывать широкий диапазон температур.

Для многих приложений инженеры-конструкторы найдут большую часть необходимой технической информации в даташитах. Однако для специальных запросов или там, где требуется техническая поддержка, может быть сформулирован и представлен нам специальный технический запрос.

Существует ряд способов вычисления температуры перехода прибора. Они включают различные уровни сложности от быстрого ручного расчета до фундаментального трехмерного анализа с различными вариантами сложности между этими двумя крайностями.