Быстрый заказ товара
Расшифровка партномера
Обозначения статуса
- D – в разработке
- S – доступны образцы
- M – массовое производство
- O – снято с производства
MOSFET транзисторы
Осуществляется поставка отдельных кристаллов и корпусированных SiC MOSFET транзисторов с напряжениями 1200V и 3300V с диапазоном токов от 12A до 50А. Применение технологии SiC позволяет получить увеличенные значения удельной мощности, повысить КПД, обеспечить устойчивость к перегреву и помехам. SiC MOSFET имеют широкий спектр применений от источников питания, инверторов, силовых преобразователей для альтернативной энергетики до систем индукционного нагрева, сварочных аппаратов, электрических и гибридных силовых установок в автотранспорте.
Отправить запрос
Фильтр
Подбор MOSFET транзисторы
| Наименование | Цена, руб. (включая НДС) | Описание | ЭКТ | Бренд | Конфигурация | Конфигурация | IС, A | ITGQM, A | IF, A | ID, A | Vces, V | VDS(on), V | VDC, V | ITSM, kA | VDRM, V | VTM, V | VT0, V | VRRV, V | VDSS,V | VCE(sat), V | VF, V | RDS(on), mΩ | IGT, mA | Eoff, J | IT(AV), A | IF (AV), A | VFM, V | QG, μC | Qrr, μC | IDSS, μA | Qr, μC | Erec, mJ | Total Esw, mJ | ESW, mJ | Технология | tq, μs | trr, μs | Rth(j-c), °C/kW | IR, μA | Rth(j-c), K/W | Подложка | Корпус | Диаметр, мм | VISO, V | Viso, kV | Размеры, mm | Статус | Упаковка | Срок, нед | На складе | Outline Type Code | Flange OD Contact OD Height (mm) | Clamping Force (kN) min - max | Цена, руб. (включая НДС) | Udrm, V | UT, V | Ir, mA |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00025880 | Бренд: Elcomtech | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | Qr, μC: 0 | trr, μs: 0 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021398 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Dual Switch | ID, A: 500 | VDS(on), V: – | VDSS,V: 3300 | RDS(on), mΩ: – | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 800 | Технология: Full SiC | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 21 | Корпус: G | VISO, V: – | Размеры, mm: 160x130x38 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021397 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Discrete | ID, A: 20 | VDS(on), V: – | VDSS,V: 1200 | RDS(on), mΩ: – | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | IDSS, μA: 200 | Qr, μC: 0 | Технология: SiC | trr, μs: 0 | Корпус: TO-247-3L | VISO, V: – | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021396 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Half Bridge | ID, A: 450 | VDS(on), V: 1.5 | VDSS,V: 3300 | RDS(on), mΩ: – | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 590 | Технология: Full SiC | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 24 | Подложка: AlSiC | Корпус: X1 | VISO, V: – | Размеры, mm: 144x100x40 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021395 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Discrete | ID, A: 40 | VDS(on), V: 1.7 | VDSS,V: 1200 | RDS(on), mΩ: – | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | Qr, μC: 0 | Технология: SiC | trr, μs: 0 | Корпус: TO-247-3L | VISO, V: – | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021394 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Six-Pack | ID, A: 400 | VDS(on), V: 0.92 | VDSS,V: 1200 | RDS(on), mΩ: – | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 50 | Технология: Full SiC | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 90 | Подложка: Cu | Корпус: S3 | VISO, V: – | Размеры, mm: 154x126x32 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021393 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Chip | ID, A: 50 | VDS(on), V: – | VDSS,V: 3300 | RDS(on), mΩ: 130 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | IDSS, μA: 500 | Qr, μC: 0 | Технология: SiC | trr, μs: 0 | VISO, V: – | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021392 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Chip | ID, A: 32 | VDS(on), V: – | VDSS,V: 3300 | RDS(on), mΩ: 80 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | IDSS, μA: 500 | Qr, μC: 0 | Технология: SiC | trr, μs: 0 | VISO, V: – | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021391 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Discrete | ID, A: 12 | VDS(on), V: – | VDSS,V: 1200 | RDS(on), mΩ: 40 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | IDSS, μA: 200 | Qr, μC: 0 | Технология: SiC | trr, μs: 0 | Корпус: TO-247-3L | VISO, V: – | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021390 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Chip | ID, A: 12 | VDS(on), V: – | VDSS,V: 1200 | RDS(on), mΩ: 55 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | IDSS, μA: 200 | Qr, μC: 0 | Технология: SiC | trr, μs: 0 | VISO, V: – | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021389 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Chip | ID, A: 20 | VDS(on), V: – | VDSS,V: 1200 | RDS(on), mΩ: 35 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | IDSS, μA: 200 | Qr, μC: 0 | Технология: SiC | trr, μs: 0 | VISO, V: – | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021388 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Dual Switch | ID, A: 500 | VDS(on), V: – | VDSS,V: 3300 | RDS(on), mΩ: 130 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | Qr, μC: 0 | Технология: Full SiC | trr, μs: 0 | Корпус: G | VISO, V: – | Размеры, mm: 160x130x38 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021399 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Half Bridge | ID, A: 200 | VDS(on), V: – | VDSS,V: 1200 | RDS(on), mΩ: 80 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | Qr, μC: 0 | Технология: Full SiC | trr, μs: 0 | Корпус: W1 | VISO, V: – | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 |
Если у вас возникли сложности с подбором электронных компонентов, напишите нам и наши специалисты в кратчайшие сроки проконсультируют вас
Отправить запрос
Классификатор
Чертежи
Основные корпуса SiC MOSFET
