Быстрый заказ товара
Классификация высоковольтных модулей
Классификация низковольтных модулей
Силовые модули IGBT
Фильтр
Подбор IGBT модули
| Наименование | Цена, руб. (включая НДС) | Описание | ЭКТ | Бренд | Конфигурация | Конфигурация | IС, A | ITGQM, A | IF, A | ID, A | Vces, V | VDS(on), V | VDC, V | ITSM, kA | VDRM, V | VTM, V | VT0, V | VRRV, V | VDSS,V | VCE(sat), V | VF, V | RDS(on), mΩ | IGT, mA | Eoff, J | IT(AV), A | IF (AV), A | VFM, V | QG, μC | Qrr, μC | IDSS, μA | Qr, μC | Erec, mJ | Total Esw, mJ | ESW, mJ | Технология | tq, μs | trr, μs | Rth(j-c), °C/kW | IR, μA | Rth(j-c), K/W | Подложка | Корпус | Диаметр, мм | VISO, V | Viso, kV | Размеры, mm | Статус | Упаковка | Срок, нед | На складе | Outline Type Code | Flange OD Contact OD Height (mm) | Clamping Force (kN) min - max | Цена, руб. (включая НДС) | Udrm, V | UT, V | Ir, mA |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЭКТ: УТ-00021231 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Half Bridge | IС, A: 600 | Vces, V: 1200 | VCE(sat), V: 1.7 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: - | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 140 | Технология: Hybrid SiC | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 50 | Подложка: Cu | Корпус: M1 | Viso, kV: 4 | Размеры, mm: 152x62x21 | Статус: S | Упаковка: 6 | На складе: 0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021230 | Бренд: JBY | Конфигурация: Six-Pack | IС, A: 820 | Vces, V: 750 | VCE(sat), V: 1.25 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: 4.2 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 66.5 | Технология: RTMOS+Gen6 | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 135 | Подложка: Cu | Корпус: S3 | Viso, kV: 2.5 | Размеры, mm: 154x100x32 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021229 | Бренд: JBY | Конфигурация: Six-Pack | IС, A: 800 | Vces, V: 750 | VCE(sat), V: 1.45 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: 5.7 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 48.2 | Технология: RTMOS+Gen6 | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 86 | Подложка: Cu | Корпус: S1 | Viso, kV: 2.5 | Размеры, mm: 216x100x35 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00016312 | Бренд: JBY | Конфигурация: Half Bridge | IС, A: 650 | Vces, V: 1700 | VCE(sat), V: 1.85 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: 7.7 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 610 | Технология: TMOS+Gen5 | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 30 | Подложка: Cu | Корпус: H2 | Viso, kV: 4 | Размеры, mm: 172x89x38 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021226 | Бренд: JBY | Конфигурация: Half Bridge | IС, A: 600 | Vces, V: 1200 | VCE(sat), V: 1.47 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: 6.1 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 147 | Технология: TMOS+Gen5 | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 49 | Подложка: Cu | Корпус: M1 | Viso, kV: 2.5 | Размеры, mm: 152x62x21 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021224 | Бренд: JBY | Конфигурация: Six-Pack | IС, A: 600 | Vces, V: 750 | VCE(sat), V: 1.55 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: 3.5 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 70 | Технология: RTMOS+Gen6 | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 135 | Подложка: Cu | Корпус: S3 | Viso, kV: 2.5 | Размеры, mm: 154x100x32 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021223 | Бренд: JBY | Конфигурация: Half Bridge | IС, A: 450 | Vces, V: 3300 | VCE(sat), V: 2.3 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: - | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 2030 | Технология: DMOS+Gen4 | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 28 | Подложка: AlSiC | Корпус: X1 | Viso, kV: 10.2 | Размеры, mm: 144x100x40 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭКТ: УТ-00021221 | Бренд: CRRC | Конфигурация: Six-Pack | IС, A: 400 | Vces, V: 750 | VCE(sat), V: 1.7 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: 2.5 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 50.5 | Технология: RTMOS+Gen6 | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 170 | Подложка: Cu | Корпус: S2 | Viso, kV: 2.5 | Размеры, mm: 140x112x21 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021220 | Бренд: JBY | Конфигурация: Six-Pack | IС, A: 400 | Vces, V: 750 | VCE(sat), V: 1.7 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: 2.5 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 44 | Технология: RTMOS+Gen6 | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 120 | Подложка: Cu | Корпус: S2 | Viso, kV: 2.5 | Размеры, mm: 140x112x21 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021219 | Бренд: JBY | Конфигурация: Six-Pack | IС, A: 400 | Vces, V: 750 | VCE(sat), V: 1.7 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: 2.5 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 44.5 | Технология: RTMOS+Gen6 | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 120 | Подложка: Cu | Корпус: S0 | Viso, kV: 2.5 | Размеры, mm: 140x112x21 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021218 | Бренд: JBY | Конфигурация: Press Pack | IС, A: 3000 | Vces, V: 4500 | VCE(sat), V: 2.3 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: 34 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 34 | Технология: DMOS+ | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 3 | Подложка: - | Корпус: Square | Viso, kV: - | Размеры, mm: 206x206x35 | Статус: D | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021217 | Бренд: JBY | Конфигурация: Press Pack | IС, A: 2000 | Vces, V: 4500 | VCE(sat), V: 2.3 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: 24 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 22.9 | Технология: DMOS+ | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 4.3 | Корпус: Square | Размеры, mm: 206x206x35 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021216 | Бренд: JBY | Конфигурация: Half Bridge | IС, A: 1400 | Vces, V: 1200 | VCE(sat), V: 1.8 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: 13 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 595 | Технология: TMOS+Gen5 | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 20 | Подложка: Cu | Корпус: H1 | Viso, kV: 4 | Размеры, mm: 250x89x38 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021215 | Бренд: JBY | Конфигурация: Half Bridge | IС, A: 1000 | Vces, V: 1700 | VCE(sat), V: 1.85 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: 11.4 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 980 | Технология: TMOS+Gen5 | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 20 | Подложка: Cu | Корпус: H1 | Viso, kV: 4 | Размеры, mm: 250x89x38 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021214 | Бренд: JBY | Конфигурация: Half Bridge | IС, A: 600 | Vces, V: 1200 | VCE(sat), V: - | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: - | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: - | Технология: Hybrid SiC | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: - | Подложка: - | Корпус: M1 | Viso, kV: 4 | Размеры, mm: 152x62x21 | Статус: D | Упаковка: 6 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021213 | Бренд: JBY | Конфигурация: Dual Switch | IС, A: 500 | Vces, V: 3300 | VCE(sat), V: - | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: - | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: - | Технология: Hybrid SiC | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: - | Подложка: - | Корпус: G | Viso, kV: - | Размеры, mm: - | Статус: D | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021212 | Бренд: JBY | Конфигурация: Half Bridge | IС, A: 200 | Vces, V: 1200 | VCE(sat), V: - | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: - | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: - | Технология: Hybrid SiC | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: - | Подложка: - | Корпус: W1 | Viso, kV: - | Статус: D | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021351 | Бренд: JBY | Конфигурация: Single Switch | IС, A: 1600 | Vces, V: 1700 | VCE(sat), V: - | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: - | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: - | Технология: Hybrid SiC | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: - | Подложка: - | Корпус: F | Viso, kV: - | Размеры, mm: - | Статус: D | Упаковка: 1 | На складе: 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021350 | Бренд: JBY | Конфигурация: Dual Switch | IС, A: 1500 | Vces, V: 3300 | VCE(sat), V: - | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: - | Qr, μC: 0 | Технология: Hybrid SiC | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: - | Подложка: - | Корпус: E | Viso, kV: - | Размеры, mm: - | Статус: D | Упаковка: 1 | На складе: 0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
По запросу Р
|
ЭКТ: УТ-00021349 | Бренд: JBY | Конфигурация: Half Bridge | IС, A: 900 | Vces, V: 1200 | VCE(sat), V: 1.75 | IGT, mA: 0 | Eoff, J: 0 | QG, μC: 8.8 | Qr, μC: 0 | Total Esw, mJ: 288 | Технология: TSPT | trr, μs: 0 | Rth(j-c), °C/kW: 29.5 | Подложка: Cu | Корпус: H2 | Viso, kV: 4 | Размеры, mm: 172x89x38 | Статус: M | Упаковка: 1 | На складе: 0 |
Если у вас возникли сложности с подбором электронных компонентов, напишите нам и наши специалисты в кратчайшие сроки проконсультируют вас
Отправить запрос
Классификатор
Чертежи
Чертежи корпусов IGBT модулей
Применение
Применение IGBT модулей
